삼성전자 3D 차세대 메모리 아키텍처 최초 공개 AI 반도체 주도권 확보
zHBM 및 zNAND-O 수직 적층 기술 제시 초고속 데이터 처리 구현
400단 초고적층 V10 BV-NAND 기술 선보여 글로벌 리더십 입증
통합 턴키 솔루션 기반으로 맞춤형 고성능 AI 반도체 시장 선도
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기사원문 https://www.mediaullim.com/news/510130
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